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NEO半导体公司近日发布了3D内存技术，旨在解决内存容量瓶颈并提升容量至与SSD相当。据该公司透露，其即将于2025年推出第一代3DX-DRAM，该产品拥有230层堆栈和128Gb的核心容量，相较于当前16Gb的2DDRAM内存实现了8倍容量的提升，而该公司旨在每10年将3DX-DRAM容量提升8倍，到2035年达到1Tb的核心容量，实现总计64倍的容量提升。

该公司的3DX-DRAM技术实现了通过堆栈层数来提高内存容量，这类似于闪存芯片中的FBC浮栅极技术，但通过增加一层Mask光罩，就可以形成垂直结构，进而大幅提升密度，而良率也相对较高且成本较低。尽管3DX-DRAM技术存在巨大潜力，然而，由于NEO公司自身没有晶圆厂，因此其生产还需依托授权厂商，这可能也是未来3D内存普及的一个难点。

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